미국 정부가 자국 내 반도체 생산을 장려하기 위해 기업에 지급하는 총 390억달러(약 50조원) 상당의 보조금에 대한 신청을 내주부터 받는다.

지나 러몬도 미국 상무부 장관은 23일(현지시간) 미국 워싱턴DC에 있는 조지타운대에서 “반도체법으로 자금을 지원하기 위해 28일부터 신청을 받는다”고 말했다. 다만 미국은 중국에 신규 투자를 하지 않는 기업에만 보조금을 주겠다는 입장이라 중국에 반도체 공장을 운영 중인 삼성전자와 SK하이닉스가 보조금을 받을 수 있을지 주목된다.

지나 러몬도 미 상무부 장관은 "우리는 신청하길 원하는 기업들에 자금을 지원하기 시작하고 있고, 그것은 반도체 제조(생산) 시설에 초점을 맞출 것"이라면서 "이 자금은 기업들이 미국에서 반도체를 제조하도록 장려하기 위한 것"이라고 설명했다.

그는 "반도체법은 미국에서 큰 공장을 짓는 것은 아시아에서보다 더 비싸다는 것을 알고 있기 때문에 제조 인센티브로 390억 달러를 배정했다"고 부연하면서 "여기 있는 언론인들은 인텔이 얼마를 받는지, 삼성이 얼마를 받는지 알고 싶어할 것"이라고 말하기도 했다.

조 바이든 대통령이 지난해 8월 서명한 반도체법에 따라 반도체 제조 보조금(390억 달러)과 국립반도체기술센터(NSTC) 신설 등을 위한 연구·개발(R&D) 및 인력 개발 지원금(132억 달러) 등 527억 달러 예산이 편성됐다.

현재 삼성전자는 미국 텍사스 테일러시에 170억 달러(약 22조원)를 투자해 반도체 공장을 건설을, SK하이닉스도 150억 달러(약 19조5000억원)를 투자해 첨단 패키징 공장과 R&D 센터를 짓겠다는 계획을 각각 밝힌 상태다.

문제는 미 정부가 지급하는 반도체 보조금의 '가드레일(안전장치)' 조항이다. 보조금을 받는 기업은 미 상무부와 향후 10년간 중국 등 우려국에 첨단 반도체 시설 신설과 기존 시설에 대한 투자를 하지 않는다는 협약을 체결해야 한다.

현재 삼성전자는 중국 시안에, SK하이닉스는 중국 우시와 다롄에 공장을 운영 중이다.

또한 범용 반도체의 정의가 명확하지 않다는 점도 불확실하다. 반도체지원법은 범용 반도체를 로직(비메모리) 반도체의 경우 28nm(나노미터)나 그 이전 세대로 규정했다. 그러나 한국 기업의 주력 제품인 낸드와 D램 등 메모리 반도체는 특정 규격을 명시하지 않고, 로직 반도체에 준하는 수준으로 상무부 장관이 국방부 장관과 국가정보국장과 협의해 결정하도록 규정했다.

업계 내에선 상무부가 오는 28일부터 반도체 생산 보조금 신청을 받게 되면 공장을 짓고 있는 삼성전자의 경우 반도체 보조금을 신청할 가능성을 높게 점치고 있다. SK하이닉스는 당장 건설에 들어가 있는 상황이 아닌 만큼 상황을 지켜보면서 신청 여부를 결정할 것으로 보인다.